Fabricación de fotoelectrodos transparentes de SnO2 y caracterizaciones estructural y eléctrica
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2016-11Publisher
Universidad Politécnica de CartagenaBibliographic Citation
LÓPEZ GARCÍA, José Miguel y GÓMEZ LOPERA, Salvador Ángel. Fabricación de fotoelectrodos transparentes de SnO2 y caracterizaciones estructural y eléctrica. En: Anuario jóvenes investigadores: noviembre 2016, nº 9, 176-179 p. ISSN: 2386-3676Keywords
Método de Van der PauwPelícula fina de SnO2
Pirolisis de espray
RDX
Resistencia superficial
Sheet resistance
Spray Pyrolysis
SnO2 thin film
Van Der Pauw method
Abstract
[ESP] Se han fabricado fotoelectrodos transparentes de dióxido de estaño dopado con flúor (SnO2:F) sobre sustratos de vidrio de 18.75 cm2 de superficie y 1.2 mm de espesor mediante el método de pirolisis de espray. Se crecieron películas de aproximadamente 500 nm de espesor para distintos valores de [F]/[Sn] (0%, 10%, 15%, 16%, 19%, 20%). Las capas conductoras tienen una elevada cristalinidad que coincide con el patrón para el dióxido de estaño (estructura tetragonal rutilo). La resistencia superficial y la resistividad son mínimas para la muestra dopada al 16%, con valores respectivos 3.05±0.12 Ω cm 2 y (12±6) 10 5 Ω m. [ENG] Fluorine doped tin dioxide (SnO2:F) transparent photoelectrodes were manufactured over glass
substrates of 18.75 cm2 surface and 1.2 mm thick by spray pyrolysis method. It was grown films of approximately 500 nm thick for different values of [F]/[Sn] (0%, 10%, 15%, 16%, 19%, 20%). Conductive films have a high crystallinity which coincides with tin dioxide pattern ...
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