TY - JOUR 
A1 - Díaz Madrid, José Manuel
T1 - Caracterización de transistores de nitruro de galio (GaN) para alta potencia y alta frecuencia : aplicación en amplificador de alta potencia para redes inalámbricas WiMAX
Y1 - 2012
UR - http://hdl.handle.net/10317/2748
AB - El proyecto consta de tres partes, la primera de ellas es el estudio de
la tecnología GaN, que será comparada con las tecnologías convencionales para
demostrar sus ventajas. La segunda parte consistirá en la caracterización
estática y dinámica del transistor, se extraerá el modelo de pequeña señal donde
como ayuda se empleara el software de diseño ADS. En la tercera parte se
diseñará y fabricará un amplificador a 2.1 GHz a partir de los resultados de las
dos partes anteriores y se validará con herramientas CAD
KW - Electrónica
KW - Microondas
KW - Amplificadores
KW - GaN
KW - HEMT
LA - spa
ER -