Medidas paramétrics en transistores de nitruro de galio para aplicaciones de sistemas de comunicación en alta frecuencia
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URI: http://hdl.handle.net/10317/2718Compartir
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Hinojosa Jiménez, Juan; Martínez Viviente, Félix LorenzoEscuela/Centro
Escuela Técnica Superior de Ingeniería de TelecomunicaciónUniversidad
Universidad Politécnica de CartagenaDepartamento
Electrónica, Tecnología de Computadoras y ProyectosÁrea de conocimiento
ElectrónicaFecha de publicación
2012-07-10Palabras clave
Amplificadores de GaNTransmisores
Modelo circuital
Medidas paramétricas
Parámetros S
Nitruro de Galio
Resumen
El proyecto consta de tres partes que describen el trabajo realizado en el marco de los transmisores de alta frecuencia y de alta potencia. La primera parte es un estudio es un estudio de las tecnologías de GaN, observando la capacidad de ésta para el diseño de amplificadores de alta potencia. La segunda parte será la caracterización estática y dinámica de un transmisor de tecnología GaN de alta potencia y alta frecuencia. La tercera parte consistirá en el diseño de una amplificación de microondas para la frecuencia de 2.1 GHz.
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