%0 Journal Article 
%A Díaz Madrid, José Manuel
%T Caracterización de transistores de nitruro de galio (GaN) para alta potencia y alta frecuencia : aplicación en amplificador de alta potencia para redes inalámbricas WiMAX
%D 2012
%U http://hdl.handle.net/10317/2748
%X El proyecto consta de tres partes, la primera de ellas es el estudio de
la tecnología GaN, que será comparada con las tecnologías convencionales para
demostrar sus ventajas. La segunda parte consistirá en la caracterización
estática y dinámica del transistor, se extraerá el modelo de pequeña señal donde
como ayuda se empleara el software de diseño ADS. En la tercera parte se
diseñará y fabricará un amplificador a 2.1 GHz a partir de los resultados de las
dos partes anteriores y se validará con herramientas CAD
%K Electrónica
%K Microondas
%K Amplificadores
%K GaN
%K HEMT
%~ GOEDOC, SUB GOETTINGEN