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dc.contributor.authorLópez García, José María 
dc.contributor.authorGómez Lopera, Salvador Ángel 
dc.date.accessioned2017-05-15T09:15:59Z
dc.date.available2017-05-15T09:15:59Z
dc.date.issued2016-11
dc.identifier.citationLÓPEZ GARCÍA, José Miguel y GÓMEZ LOPERA, Salvador Ángel. Fabricación de fotoelectrodos transparentes de SnO2 y caracterizaciones estructural y eléctrica. En: Anuario jóvenes investigadores: noviembre 2016, nº 9, 176-179 p. ISSN: 2386-3676es_ES
dc.identifier.issn2386-3676 (Papel)
dc.identifier.issn2444-2968 (Digital)
dc.description.abstract[ESP] Se han fabricado fotoelectrodos transparentes de dióxido de estaño dopado con flúor (SnO2:F) sobre sustratos de vidrio de 18.75 cm2 de superficie y 1.2 mm de espesor mediante el método de pirolisis de espray. Se crecieron películas de aproximadamente 500 nm de espesor para distintos valores de [F]/[Sn] (0%, 10%, 15%, 16%, 19%, 20%). Las capas conductoras tienen una elevada cristalinidad que coincide con el patrón para el dióxido de estaño (estructura tetragonal rutilo). La resistencia superficial y la resistividad son mínimas para la muestra dopada al 16%, con valores respectivos 3.05±0.12 Ω cm 2 y (12±6) 10 5 Ω m. [ENG] Fluorine doped tin dioxide (SnO2:F) transparent photoelectrodes were manufactured over glass substrates of 18.75 cm2 surface and 1.2 mm thick by spray pyrolysis method. It was grown films of approximately 500 nm thick for different values of [F]/[Sn] (0%, 10%, 15%, 16%, 19%, 20%). Conductive films have a high crystallinity which coincides with tin dioxide pattern (rutile tetragonal structure). Surface resistance and resistivity are minimal for the 16% doped sample with respective values 3.05±0.12 Ω cm 2 y (12±6) 10 5 Ω m. [ENG] Fluorine doped tin dioxide (SnO2:F) transparent photoelectrodes were manufactured over glass substrates of 18.75 cm2 surface and 1.2 mm thick by spray pyrolysis method. It was grown films of approximately 500 nm thick for different values of [F]/[Sn] (0%, 10%, 15%, 16%, 19%, 20%). Conductive films have a high crystallinity which coincides with tin dioxide pattern (rutile tetragonal structure). Surface resistance and resistivity are minimal for the 16% doped sample with respective values 3.05±0.12 Ω cm 2 y (12±6) 10 5 Ω m.es_ES
dc.description.sponsorshipEscuela Técnica Superior de Ingeniería de Telecomunicación (ETSIT), Escuela Técnica Superior de Ingeniería Agronómica (ETSIA), Escuela Técnica Superior de Ingeniería Industrial (ETSII), Escuela Técnica Superior de Arquitectura y Edificación (ETSAE), Escuela Técnica Superior de Ingeniería de Caminos, Canales y Puertos y de Ingeniería de Minas (ETSICCPIM), Facultad de Ciencias de la Empresa (FCCE), Parque Tecnológico de Fuente Álamo (PTFA), Vicerrectorado de Estudiantes y Extensión de la UPCT, Vicerrectorado de Investigación e Innovación de la UPCT, y Vicerrectorado de Internacionalización y Cooperación al Desarrollo de la UPCT.es_ES
dc.formatapplication/pdfes_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherUniversidad Politécnica de Cartagenaes_ES
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 España*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/*
dc.titleFabricación de fotoelectrodos transparentes de SnO2 y caracterizaciones estructural y eléctricaes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_ES
dc.subjectMétodo de Van der Pauwes_ES
dc.subjectPelícula fina de SnO2es_ES
dc.subjectPirolisis de esprayes_ES
dc.subjectRDXes_ES
dc.subjectResistencia superficiales_ES
dc.subjectSheet resistancees_ES
dc.subjectSpray Pyrolysises_ES
dc.subjectSnO2 thin filmes_ES
dc.subjectVan Der Pauw methodes_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10317/5913
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_ES
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones_ES
dc.subject.unesco3312.09 Resistencia de Materialeses_ES


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