Diseño a 2.45GHz de un amplificador de potencia GaN HEMT de clase A : resumen en español
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URI: http://hdl.handle.net/10317/5242Compartir
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Gómez Tornero, José Luis; Goussetis, GeorgeEscuela/Centro
Escuela Técnica Superior de Ingeniería IndustrialUniversidad
Universidad Politécnica de CartagenaDepartamento
Tecnologías de la Información y las ComunicacionesÁrea de conocimiento
Teoría de la Señal y las ComunicacionesFecha de publicación
2015Palabras clave
TransistoresTransistors
Amplificadores de potencia
Power amplifiers
Resumen
Hoy en día, la amplificación de estado sólido está dominada por el uso de transistores de tres
terminales. Usando un pequeño voltaje aplicado en la entrada del dispositivo, uno puede controlar,
de manera eficiente, una gran cantidad de corriente en el terminal de salida cuando el terminal
común está conectado a tierra. Este es el origen del nombre transistor, que es la union de las
palabras inglesas transfer y resistor.
Gracias a los transistores, la amplificación existe y este proyecto está enfocado en el proceso de
diseño que un ingeniero debe seguir para llevarlo a cabo, desde las primeras simulaciones hasta su
testeo en el laboratorio.
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