%0 Journal Article %A Martínez Viviente, Félix Lorenzo %T Estudio de la estabilidad térmica del a-SiNx:H producido mediante la técnica de plasma ECR-CVD %D 2002 %U http://hdl.handle.net/10317/1007 %X [SPA] La técnica de deposición química en fase de vapor activada por resonancia ciclotrónica de electrones (ECR-CVD) ha sido empleada para crecer láminas delgadas de nitruro de silicio hidrogenado (SiNx:H) de varias composiciones. Este dieléctrico de elevada permitividad tiene numerosas aplicaciones en microelectrónica, y reúne algunas características adecuadas para sustituir o complementar al óxido de silicio como aislante de puerta de transistores de efecto campo de estructura MOS en aquellos casos en que la continua reducción de las dimensiones laterales de los dispositivos conduce a alcanzar el mínimo espesor de óxido tolerable. Con posterioridad al crecimiento las muestras fueron sometidas a tratamientos térmicos rápidos (RTA) a temperaturas comprendidas entre 300 ºC y 1050 ºC con el objetivo de estudiar la evolución de las propiedades del SiNx:H en función de la temperatura de estos procesos. Un amplio número de técnicas analíticas y espectroscópicas han sido utilizadas para analizar el comportamiento del SiNx:H frente a la temperatura. La composición ha sido estudiada mediante técnicas de análisis de haces de iones: RBS y ERDA. La primera de ellas ha sido utilizada para determinar la proporción nitrógeno a silicio en las láminas, mientras que la segunda permite conocer el contenido de hidrógeno (que no puede ser detectado por RBS). La estructura de enlaces del material ha sido analizada mediante espectroscopia infrarroja, mientras que las imperfecciones o defectos presentes en la red (enlaces de silicio no saturados) fueron estudiados por resonancia de espín electrónico (ESR). Las propiedades de absorción óptica (índice de refracción y coeficiente de absorción) también han sido consideradas, estudiándose el borde de absorción de Urbach mediante espectroscopia en el ultravioleta-visible. Por último se realizaron estructuras metal-nitruro-silicio para investigar las características eléctricas y la densidad de centros de captura de carga en la intercara mediante medidas I-V y C-V. Las conclusiones del trabajo han permitido poner de manifiesto el papel determinante que desempeña el hidrógeno en las propiedades del SiNx:H. El hidrógeno se puede encontrar enlazado tanto a silicio como a nitrógeno, así como atrapado en las microcavidades de la red sin formar enlaces. Para temperaturas elevadas de RTA se producen reacciones de deshidrogenación que deterioran las características eléctricas y el orden estructural de la red de enlaces. El tipo de reacción y la temperatura a la que se produce dependen de las concentraciones relativas de enlaces Si-H y N-H. A temperaturas intermedias y bajas de RTA tienen lugar reacciones de incorporación y transferencia de hidrógeno, así como procesos de relajación estructural de las constricciones impuestas por los ángulos de enlace, todo lo cual se refleja tanto en el borde de absorción óptica como en las características de la intercara con el silicio. %K Dieléctricos de alta k %K Nitruro de silicio %K ECR-CVD %K Procesos térmicos rápidos %K Hidrógeno %K Estructuras de enlaces %K Propiedades ópticas %K Propiedades eléctricas %K High-k dielectrics %K Silicon nitride %K ECR-CVD %K Rapid thermal annealing %K Hydrogen %K Bonding structure %K Optical properties %K Electrical properties %K Pure sciences %K Amorphous silicon %K Silicon nitride %~ GOEDOC, SUB GOETTINGEN