TY - JOUR 
A1 - Legaz Aparicio, Alvar Ginés
T1 - Medidas paramétrics en transistores de nitruro de galio para aplicaciones de sistemas de comunicación en alta frecuencia
Y1 - 2012
UR - http://hdl.handle.net/10317/2718
AB - El proyecto consta de tres partes que describen el trabajo realizado en el marco de los transmisores de alta frecuencia y de alta potencia. La primera parte es un estudio es un estudio de las tecnologías de GaN, observando la capacidad de ésta para el diseño de amplificadores de alta potencia. La segunda parte será la caracterización estática y dinámica de un transmisor de tecnología GaN de alta potencia y alta frecuencia. La tercera parte consistirá en el diseño de una amplificación de microondas para la frecuencia de 2.1 GHz.
KW - Electrónica
KW - Amplificadores de GaN
KW - Transmisores
KW - Modelo circuital
KW - Medidas paramétricas
KW - Parámetros S
KW - Nitruro de Galio
LA - spa
ER -