Crecimiento y caracterización de láminas delgadas de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en la estructura de puerta de transistores de efecto campo

Abstract

La industria microelectrónica necesita desarrollar nuevos materiales dieléctricos que puedan sustituir al óxido de silicio en la estructura de puerta de los transistores de efecto campo CMOS, especialmente conforme nos acercamos a niveles de integración con dimensiones de tan solo 45 nm para la longitud del canal. Con este fin serán necesarios dieléctricos de mayor permitividad que el óxido de silicio, denominados genéricamente dieléctricos de alta k. La mayor constante dieléctrica de estos materiales permite incrementar el espesor del dieléctrico respecto al valor que debería tener una lámina de óxido de silicio equivalente, resolviendo así los problemas de corrientes de túnel que presenta el óxido de silicio de espesor ultra-delgado. En este artículo realizamos un resumen de algunas de las técnicas experimentales que empleamos en este área.