Caracterización de transistores de nitruro de galio (GaN) para alta potencia y alta frecuencia : aplicación en amplificador de alta potencia para redes inalámbricas WiMAX

Abstract

El proyecto consta de tres partes, la primera de ellas es el estudio de la tecnología GaN, que será comparada con las tecnologías convencionales para demostrar sus ventajas. La segunda parte consistirá en la caracterización estática y dinámica del transistor, se extraerá el modelo de pequeña señal donde como ayuda se empleara el software de diseño ADS. En la tercera parte se diseñará y fabricará un amplificador a 2.1 GHz a partir de los resultados de las dos partes anteriores y se validará con herramientas CAD