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dc.contributor.authorDíaz Madrid, José Manuel 
dc.date.accessioned2012-07-26T15:06:53Z
dc.date.available2012-07-26T15:06:53Z
dc.date.issued2012-07-26T15:06:53Z
dc.description.abstractEl proyecto consta de tres partes, la primera de ellas es el estudio de la tecnología GaN, que será comparada con las tecnologías convencionales para demostrar sus ventajas. La segunda parte consistirá en la caracterización estática y dinámica del transistor, se extraerá el modelo de pequeña señal donde como ayuda se empleara el software de diseño ADS. En la tercera parte se diseñará y fabricará un amplificador a 2.1 GHz a partir de los resultados de las dos partes anteriores y se validará con herramientas CADeng
dc.formatapplication/pdfeng
dc.language.isospaeng
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 España*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/*
dc.titleCaracterización de transistores de nitruro de galio (GaN) para alta potencia y alta frecuencia : aplicación en amplificador de alta potencia para redes inalámbricas WiMAXeng
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesiseng
dc.subject.otherElectrónicaes_ES
dc.contributor.advisorHinojosa Jiménez, Juan 
dc.contributor.advisorMartínez Viviente, Félix Lorenzo 
dc.subjectMicroondaseng
dc.subjectAmplificadoreseng
dc.subjectGaNeng
dc.subjectHEMTeng
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10317/2748
dc.description.centroEscuela Técnica Superior de Ingeniería de Telecomunicacióneng
dc.contributor.departmentElectrónica, Tecnología de Computadoras y Proyectoseng
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.description.universityUniversidad Politécnica de Cartagenaeng


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Atribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 España
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