Diseño a 2.45GHz de un amplificador de potencia GaN HEMT de clase A : resumen en español
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URI: http://hdl.handle.net/10317/5242Share
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Hilario Re, Pascual DavidDirector/a
Gómez Tornero, José Luis; Goussetis, GeorgeCenter
Escuela Técnica Superior de Ingeniería IndustrialUniversity
Universidad Politécnica de CartagenaDepartment
Tecnologías de la Información y las ComunicacionesKnowledge Area
Teoría de la Señal y las ComunicacionesPublication date
2015Keywords
TransistoresTransistors
Amplificadores de potencia
Power amplifiers
Abstract
Hoy en día, la amplificación de estado sólido está dominada por el uso de transistores de tres
terminales. Usando un pequeño voltaje aplicado en la entrada del dispositivo, uno puede controlar,
de manera eficiente, una gran cantidad de corriente en el terminal de salida cuando el terminal
común está conectado a tierra. Este es el origen del nombre transistor, que es la union de las
palabras inglesas transfer y resistor.
Gracias a los transistores, la amplificación existe y este proyecto está enfocado en el proceso de
diseño que un ingeniero debe seguir para llevarlo a cabo, desde las primeras simulaciones hasta su
testeo en el laboratorio.
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