Caracterización de transistores de nitruro de galio (GaN) para alta potencia y alta frecuencia : aplicación en amplificador de alta potencia para redes inalámbricas WiMAX
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URI: http://hdl.handle.net/10317/2748Compartir
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Díaz Madrid, José ManuelDirector/a
Hinojosa Jiménez, Juan; Martínez Viviente, Félix LorenzoEscuela/Centro
Escuela Técnica Superior de Ingeniería de TelecomunicaciónUniversidad
Universidad Politécnica de CartagenaDepartamento
Electrónica, Tecnología de Computadoras y ProyectosÁrea de conocimiento
ElectrónicaFecha de publicación
2012-07-26Palabras clave
MicroondasAmplificadores
GaN
HEMT
Resumen
El proyecto consta de tres partes, la primera de ellas es el estudio de
la tecnología GaN, que será comparada con las tecnologías convencionales para
demostrar sus ventajas. La segunda parte consistirá en la caracterización
estática y dinámica del transistor, se extraerá el modelo de pequeña señal donde
como ayuda se empleara el software de diseño ADS. En la tercera parte se
diseñará y fabricará un amplificador a 2.1 GHz a partir de los resultados de las
dos partes anteriores y se validará con herramientas CAD
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