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dc.contributor.authorLegaz Aparicio, Alvar Ginés 
dc.date.accessioned2012-07-10T16:25:50Z
dc.date.available2012-07-10T16:25:50Z
dc.date.issued2012-07-10T16:25:50Z
dc.description.abstractEl proyecto consta de tres partes que describen el trabajo realizado en el marco de los transmisores de alta frecuencia y de alta potencia. La primera parte es un estudio es un estudio de las tecnologías de GaN, observando la capacidad de ésta para el diseño de amplificadores de alta potencia. La segunda parte será la caracterización estática y dinámica de un transmisor de tecnología GaN de alta potencia y alta frecuencia. La tercera parte consistirá en el diseño de una amplificación de microondas para la frecuencia de 2.1 GHz.eng
dc.formatapplication/pdfeng
dc.language.isospaeng
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 España*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/*
dc.titleMedidas paramétrics en transistores de nitruro de galio para aplicaciones de sistemas de comunicación en alta frecuenciaeng
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesiseng
dc.subject.otherElectrónicaes_ES
dc.contributor.advisorHinojosa Jiménez, Juan 
dc.contributor.advisorMartínez Viviente, Félix Lorenzo 
dc.subjectAmplificadores de GaNeng
dc.subjectTransmisoreseng
dc.subjectModelo circuitaleng
dc.subjectMedidas paramétricaseng
dc.subjectParámetros Seng
dc.subjectNitruro de Galioeng
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10317/2718
dc.description.centroEscuela Técnica Superior de Ingeniería de Telecomunicacióneng
dc.contributor.departmentElectrónica, Tecnología de Computadoras y Proyectoseng
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.description.universityUniversidad Politécnica de Cartagenaeng


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Atribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 España
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