Medidas paramétrics en transistores de nitruro de galio para aplicaciones de sistemas de comunicación en alta frecuencia
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URI: http://hdl.handle.net/10317/2718Share
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Legaz Aparicio, Alvar GinésDirector/a
Hinojosa Jiménez, Juan; Martínez Viviente, Félix LorenzoCenter
Escuela Técnica Superior de Ingeniería de TelecomunicaciónUniversity
Universidad Politécnica de CartagenaDepartment
Electrónica, Tecnología de Computadoras y ProyectosKnowledge Area
ElectrónicaPublication date
2012-07-10Keywords
Amplificadores de GaNTransmisores
Modelo circuital
Medidas paramétricas
Parámetros S
Nitruro de Galio
Abstract
El proyecto consta de tres partes que describen el trabajo realizado en el marco de los transmisores de alta frecuencia y de alta potencia. La primera parte es un estudio es un estudio de las tecnologías de GaN, observando la capacidad de ésta para el diseño de amplificadores de alta potencia. La segunda parte será la caracterización estática y dinámica de un transmisor de tecnología GaN de alta potencia y alta frecuencia. La tercera parte consistirá en el diseño de una amplificación de microondas para la frecuencia de 2.1 GHz.
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